慢波睡眠过程中有针对性的经颅电刺激可以使特定发作的元记忆改善近20%

LLC研究人员发表的研究结果表明,与只看一次发作相比,慢波睡眠过程中有针对性的经颅电刺激可以使特定发作的元记忆改善近20%。控件。元记忆…

LLC研究人员发表的研究结果表明,与只看一次发作相比,慢波睡眠过程中有针对性的经颅电刺激可以使特定发作的元记忆改善近20%。控件。元记忆描述了是否准确回忆记忆的敏感性,例如在目击者作证时。

慢波睡眠过程中有针对性的经颅电刺激可以使特定发作的元记忆改善近20%

可以在称为“慢波睡眠”的睡眠阶段指出经颅电刺激的独特模式,以促进将新记忆整合到大脑的永久长期记忆中。这些刺激模式被称为时空幅度调制模式或STAMPS,可以针对特定的记忆。在沉浸式虚拟现实实验中,在观看过程中,首先将一分钟的情节与任意的STAMP配对一次。通过随后的睡眠刺激,仅一次观看即可明显改善目标记忆。在进行这项研究之前,人们普遍认为,针对个人自然主义记忆将需要在海马体的单个神经元尺度上进行侵入性干预。

HRL首席研究员和主要作者Praveen Pilly表示:“我们的结果表明,与负责调节情绪和运动的相对局部的大脑回路不同,情景记忆由更广泛的大脑区域网络处理。”“我们相信我们的研究将为下一代跨颅脑机接口铺平道路,这些接口可以促进健康人完成诸如语言能力或飞行员技能等现实世界任务的学习和记忆。这种非侵入性方法也可能以比植入颅内电极阵列所需的成本和风险低得多的成本和风险,使大多数患有学习和记忆障碍的患者受益。

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